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Tech Insights解析iPhoneXsMax主板芯片


2018-11-13     作者:当日修




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2018年9月24日,Tech Insights发布了iPhone XS Max的芯片级拆解。按照惯例,他们都是一边拆一边更新文章的。这篇文章合着A12的细节、英特尔基带、数量繁多的充电IC和传感器的拆解一起更新了。

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A12:真·首发7nm的手机SoC

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今年的A12型号APL1W81,在iPhone XS Max上,是和美光的4GB LPDDR4x内存堆叠在一起,后者型号MT53D512M64D4SB-046 XT:E。暂时Tech Insights拆解的美版A1921、澳洲版的A2097/A2101都是美光的内存。

A12芯片面积对比A11小了5%,为9.89 mm x 8.42 mm 83.27 mm2。面积最大的是涨幅50%的新自研GPU,其次是2大核+4小核的CPU,再往后就是新的8核NPU神经网络引擎了。

英特尔基带:成就史上信号最差的iPhone?

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“万恶之源”?英特尔 PMB9955基带

往年高通基带的iPhone X都被人喷信号差,今年iPhone XS/XS Max系列更是变成了英特尔基带,还有双卡设计,我们实测的时候,确实也遇到了明显更为频繁的通话、4G、WiFi等断线问题。

这次的主要槽点源于英特尔 PMB9955基带,其真实型号应该就是英特尔XMM7560,这是英特尔自家支持CDMA的第五代LTE modem,而且应该也是英特尔首批用14nm制程的基带。额外要提一下的是,以前英特尔的基带是台积电代工,例如XMM7480(PMB9948)就是台积电的28nm制程。

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英特尔射频收发器PMB5762

同样影响信号的射频收发器,同样是英特尔之手,这颗芯片是PMB5762。根据英特尔说法,它可以实现Cate 16的下行和Cat 15的上行速度。

多种电源管理IC:史上最猛快充

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iPhone XS Max这个峰值跑20W的苹果史上最猛快充,其核心的电源管理IC包括了英特尔PMB6829,苹果338S00456、338S00375,德仪SN2600电池充电器 IC,意法半导体 STB601A0等等。

特殊的是,在iPhone XS上有Dialog的电源管理IC,但在iPhone XS Max上没有这颗IC。

新的大底传感器:没有全像素双核对焦

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iPhone XS Max相机CMOS图

iPhone XS/XS Max今年的传感器参数终于追上安卓主流,这个索尼堆栈传感器拆解的重点:没有全像素双核对焦,实锤不是IMX363/345的马甲了。其单位像素从1.22微米增长到了1.4微米,单位像素面积增长31.7%,而传感器尺寸比iPhone X上的大了23.8%。

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传感器子像素放大图(注意绿色的对焦像素)

而对焦系统上,苹果从2014年的iPhone 6开始引入相位对焦,在2017年的iPhone X/8/8 Plus,把以前成对的对焦像素改成均匀平铺,而今年的iPhone XS/XS Max,对焦像素密度更高,且横竖密度不同(但实际上对焦速度变化不大),但密度和全像素双核对焦还有差距。实际体验上,今年的iPhone,对焦速度和弱光对焦能力,其实都和上一年分别不大。

 

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5代iPhone 的对焦子像素对比

总结:

l  这次拆解的iPhone XS Max用的是闪迪的256GB闪存,型号SDMPEGF18;

l  WiFi/蓝牙模块是USI 339S00551,里面很可能是个博通的WiFi蓝牙组合SoC(真的WiFi信号差的话,也有它的锅);

l  音频部分的是三个苹果的 338S00411 音频放大器,Codec是苹果的338S00248 ;

l  NFC控制器,很可能是一颗带有 100VB27 标记的芯片,可能是NXP出品;

l  RF射频前端部分包括了安华高的Avago AFEM-8092 FEM,Skyworks的SKY13768 FEM、SKY85403 FEM等;

 

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图文来源:Tech Insights

编译:当当

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